جست سيريان موقع سوري منوّع

أعلنت شركة سامسونغ للإلكترونيات اليوم إنها نجحت في تطوير رقاقة ذاكرة الدخول العشوائي الديناميكية من 30 نانومتر للمرة الأولى في العالم.
وذكرت الشركة أن التقنية ستعمل على تحسين الإنتاجية بنسبة 60 في المئة حيث أن كل رقاقة درام ستحتل مساحة صغيرة في خط الانتاج كما سيخفض المنتج الجديد استهلاك الطاقة الكهربائية إلى 85 بالمئة مقارنة برقائق درام 40 نانومتر الموجودة حالياً.
يذكر أن نانومتر يساوي 1 من مليار جزء من المتر ويقصد بالدرام شرائح الذاكرة لحفظ البيانات في محتوى إلكتروني منفصل ضمن دائرة واحدة.